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DMNH10H028SK3Q-13  与  IPD25CN10N G  区别

型号 DMNH10H028SK3Q-13 IPD25CN10N G
唯样编号 A-DMNH10H028SK3Q-13 A-IPD25CN10N G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ
上升时间 - 4ns
Ciss - 1560.0pF
Qg-栅极电荷 - 31nC
Rth - 2.1K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V -
Coss - 232.0pF
栅极电压Vgs ±20V 2V,4V
正向跨导 - 最小值 - 19S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 DPAK (TO-252)
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 55A(Tc) 35A
配置 - Single
Ptot max - 71.0W
长度 - 6.5mm
QG - 23.0nC
下降时间 - 3ns
高度 - 2.3mm
Budgetary Price €€/1k - 0.37
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 71W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - SMT
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS2
驱动电压 10V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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